━ 頻率范圍:1.5kHz至40MHz(可定制)
━ 低電壓噪聲(0.85 nV/√Hz @ 1MHz)
━ 低電流噪聲(20 fA/√Hz @ 10kHz)
━ 緊湊型結構設計
━ 單 / 雙通道配置,配備SMA接口
下圖展示了設備的內部結構。輸入級由預選的低噪聲場效應晶體管(FET)構成,后級接有放大電路和緩沖電路。獨立的反饋回路可確保偏置點良好平衡,即使在低溫冷卻操作條件下也能保持穩定。
主要目標應用為高阻抗源的小信號放大,例如:
━ FT-ICR)檢測池
━ 光電倍增管(Photomultipliers)
━ 其他高阻抗傳感器

電壓放大倍數-頻率特性曲線(默認標準版本)
測試條件:環境溫度 T=297 K,負載阻抗 50 Ω

室溫條件下典型電壓噪聲密度

(1)精密實驗
━ Penning trap驅動電壓 - 用于BASE重子反重子對稱性實驗
━ 混合阱驅動 - 用于冷分子離子-中性粒子碰撞研究
━ 掃描探針顯微鏡驅動 - 用于氫鍵分子單層圖案化制備
(2)離子阱驅動與束流整形
